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            碳酸钙对PTC电性能的影响


    限流用PTC热敏电阻这类产品要求低启动电阻、高耐电压、大电流通量以及在规定温度范围内具有所需的启动和恢复特性〔1〕,其中高耐电压要求,尤其受到大家的注意。为了提高芯片的耐电压,人们主要采取降低其电压效应的办法。电压效应系在外加电压作用下,晶界势垒发生倾斜所致。如果BaTiO3晶粒细而均匀,  则单位厚度上的晶界数目就多,分配在每个晶界上的有效电压就少。为此,在生产中,人们常用碳酸钙作晶粒细化剂,以抑制BaTiO3晶粒的过分长大。

    1 实验
    实验用的原料:高纯TiO2、BaCO3、CaCO3和SiO2,分别为日本东邦、化学工业、石灰工业、共立窑业等株式会社的产品,Y2O3系广州珠江冶炼厂生产的荧光级产品;Mn(NO3)2为重庆化学试剂厂生产的分析纯试剂。
    配方为:Ba1-xCaxY0.004Ti1.02O3,其中x为0.1~0.3,按传统的电子陶瓷制粉工艺,制备样品。涂覆In-Ga合金电极,用日本产的R-t、V-I特性测定仪,测量其ρ25或R25,温度系数α,居里温度TC、耐电压Vb及升阻比Rmax/Rmin等电参数。


    2 结果与讨论
    2.1 钙对TC的影响
    与Pb或Sr不同,Ca置换Ba,形成(Ba,Ca)TiO3固溶体后,并不使TC发生明显的迁移。 换言之,  Ca的移动效率极低,但对BaTiO3的低温相变点(0℃及-90℃)却有迁移,移向更低的温度,如图1所示。
    2.2 钙对芯片密度的影响
    如图2所示,钙对芯片的致密化有明显的促进作用。
    2.3 钙对BaTiO3晶粒尺寸的影响
    Fujimura指出〔2〕:随着钙加入量的增加,BaTiO3晶粒尺寸,几乎呈线性下降。我们的实验也表明,若不加钙,则BaTiO3晶粒异常生长,可达40 μm左右;掺钙后,则BaTiO3晶粒降为5~9 μm,且晶粒均匀,R25降低,Vb提高。这是因为Vb与晶粒大小成反比所致。

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图1 相变温度与钙加入量的关系         图2 芯片的密度与钙加入量的关系 

    众所周知,BaTiO3瓷中半导化晶粒的生成与长大,是通过以下过程完成的: 非半导的BaTiO3或(Ba,Ca)TiO3固溶体,先溶于晶界液相中,而后再从中析出、长大,形成半导化晶粒。此过程,同时也是一纯化过程,把杂质或非固溶物推向晶界区。凡是影响上述溶入或析出过程的诸因素,如:烧成温度的高低,液相的多少与性质,组成的复杂与简单等,均会影响晶粒尺寸的大小。即晶粒的大小,决定于在烧成温度下,晶粒的成核速度vN和晶粒的生长速度vG,若vN/vG大,即成核多,生长慢,将形成细晶,反之,则形成粗晶。
    钙的加入,将改变晶界液相的熔化温度,致使液相的黏度发生变化; 又(Ba,Ca)TiO3固溶体的性质,也不同于纯净的BaTiO3,由于组成变复杂,导致晶粒生长时,晶界迁移受阻碍,即vG变小,从而使(Ba,Ca)TiO3晶粒细化。
    2.4 钙对晶粒电阻、晶界电阻、α及ρ25的影响
    Blanchart〔3〕的实验结果表明:随着钙加入量的增加, 晶粒生长变缓,晶粒尺寸变小,晶粒、晶界电阻下降。他认为钙的加入,改变了液相的熔化温度和组成,改变了晶粒中的施主量,致使晶粒与晶界电阻下降,见图3。松尾等人〔2〕指出:随着钙加入量的增加,ρ25增大,α总的变化趋势不大,当x(Ca)为0.04时,α较大,Rmax/Rmin也较理想。

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图3 钙加入量与样品电阻值的关系


    3 常用的晶粒细化剂及其加入量
    高纯碳酸钙是目前最常用的BaTiO3晶粒细化剂。Devires对BaTiO3-CaTiO3体系相图进行研究后指出:  在1595℃时,钙在BaTiO3中的固溶量(摩尔分数x)可达42%,随着温度下降,固溶量将下降,如1 350 ℃时,x为23%〔4〕,Blanchart指出〔3〕,在1 350℃时钙的固溶量x,为20%~25%,当x为15%~20%时,R25较低。不同的制备工艺,也影响钙的固溶量。如用半湿法制备工艺,1 300℃时,固溶量x为16%;而一般的陶瓷工艺x仅为12%〔5〕,钙的加入量如过多,例如x为22%时,将使R25增大;如过少,例如x为1%时,则影响芯片的致密化,导致Vb下降。

    4 碳酸钙的理化特性对PTC热敏电阻电性能的影响
    4.1 化学特性
    4.1.1 碳酸钙的含量
    实验结果表明:CaCO3的含量,质量分数w应≥99%,如其w<99%,将使R25增大。含量的测定,宜用EDTA直接滴定法。
    4.1.2 碳酸钙中杂质的含量
    由BaTiO3系PTC热敏电阻的导电机理可知,其室温下的n型半导性与晶粒内部的载流子浓度有关。因此,CaCO3中的杂质,尤其是K+、Na+、Al3+、Fe3+、Sr2+、Mg2+等主要起受主作用,对(Ba,Ca)TiO3半导化,有毒害作用。
    而Cl-因具还原性,且其离子半径(0.181 nm)与O2-的半径(0.140 nm)接近,这将使部分O2-被Cl置换,也将影响到产品的ρ25〔6〕
    因此,对上述杂质的含量,应严加控制。K、Na+、Al3+、Fe3+、Sr2+、Mg2+的含量,宜用原子吸收法测定,而Cl含量可用分光光度法测定。
    4.2 物理特性
    4.2.1 粒子形状
    日本石灰工业(株)、天津、无锡、东营产的碳酸钙,其SEM照片,如图4所示。

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(a)日本石灰工业(株)(3 500×);(b)天津(1 500×)(c)无锡(5 000×);(d)东营(2 200×)
图4 国内外产碳酸钙的SEM照片

    碳酸钙粒子的形状,将影响烧成时芯片的收缩率与产品的强度。
    4.2.2 XRD谱
    碳酸钙的晶系、晶格结构,随其制备方法而异。XRD分析结果表明:天津产的CaCO3属六方晶系、球方解石结构;无锡生产的CaCO3是假六方晶系,方解石结构;而日本、东营产的CaCO3,似乎介于两者之间。实验表明,日本产的CaCO3工艺兼容性及半导化较好。
    4.2.3 粒度分布
    由于(Ba,Ca)TiO3固溶体的形成反应, 是一固相反应,故CaCO3粒子的大小、粒度分布对烧成条件与产品的电参数,如ρ25、Vb、Rmax/Rmin等影响较大。我们用沉降法测定了日本、东营、攀枝花等地生产的高纯CaCO3的粒度分布,所获得的结果,示于图5中。
    这里应指出的是:合成CaCO3的碳化方式,碳化条件,对CaCO3产品的粒子形状、粒度分布影响很大〔7〕
    4.2.4 TGA-DTA曲线
    日本石灰工业(株)与攀枝花产的CaCO3的热谱曲线,如图6所示。 显然,攀枝花CaCO3的开始分解温度,较日本的低;而失重却比日本高近4个百分点;两者的失重温度范围接近。

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(a)日本石灰工业(株);(b)山东东营;(c)四川攀枝花
图5 国内外产CaCO3的粒度分布

 

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(a)日本石灰工业(株)                                     (b)攀枝花

图6 国内外产CaCO3的TGA-DTA曲线

    如大家所知,TGA-DTA曲线,用于指导烧成规范的制定。


    5 推荐的技术标准
    根据我们及国内外同行的实验,我们推荐的BaTiO3系PTC热敏电阻用CaCO3的技术标准,如表1所示。

表1 CaCO3的技术标准

项    目

指    标

w(CaCO3)/10-2

≤99.00

w(H2O)/10-2

≤0.10

w(SO42-)/10-2

≤0.015

w(Cl)/10-2

≤0.005

w(PO3-4)/10-2

≤0.002

w(MgCO3)/10-2

≤0.005

w(SrCO3)/10-2

≤0.030

w(Fe2O3)/10-2

≤0.001

w(Na2O)/10-2

≤0.002

w(Al)/10-2

≤0.002

w(Ba)/10-2

≤0.005

D50/μm

2~4

晶系、晶格结构

六方、方解石

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